MMBTH11LT1 是一款基于硅材料的 NPN 型高频小信号晶体管,广泛应用于射频 (RF) 和高频电路中。它具有低噪声、高增益和快速开关速度的特点,适用于无线通信设备、收发器模块以及各种高频放大器和混频器设计。
该晶体管采用了先进的制造工艺,能够在高频环境下保持稳定的性能,同时具备良好的线性度和动态范围。其封装形式为 SOT-323 小型表面贴装封装,适合高密度电路板设计。
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极电流(IC):0.2A
直流电流增益(hFE):最小值 150
过渡频率(fT):4GHz
最大功率耗散(Ptot):310mW
工作温度范围(Tamb):-55℃ 至 +150℃
1. 高频性能优越,适合 RF 应用
2. 具有较低的噪声系数,适合作为低噪声放大器 (LNA) 的核心元件
3. 快速开关能力,适用于脉冲调制和数字电路
4. 紧凑型 SOT-323 封装,节省 PCB 空间
5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计
1. 射频前端模块中的低噪声放大器
2. 高频混频器和振荡器
3. 无线通信系统中的信号放大
4. 脉冲调制电路
5. 小信号检测与处理
6. 高速开关电路
MMBT11LT1, MMBTH10LT1