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MMBTH10LT1G/MMBTH10 发布时间 时间:2025/8/16 17:49:45 查看 阅读:8

MMBTH10LT1G和MMBTH10是双极型晶体管(BJT)型号,属于NPN型晶体管,主要用于通用开关和放大应用。MMBTH10LT1G是带有特定封装和卷带包装的版本,适用于自动化贴片生产,而MMBTH10是标准型号。这两款晶体管均采用SOT-23封装,具备较高的可靠性。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):25V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功率耗散:300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):在2mA集电极电流时最小为35(不同等级可变)
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

MMBTH10LT1G/MMBTH10晶体管具备出色的开关性能和稳定的增益特性,适合多种模拟和数字电路设计。其SOT-23封装使其适用于紧凑型PCB布局。晶体管在宽温度范围内工作稳定,具有良好的热稳定性和可靠性。此外,MMBTH10LT1G的卷带包装便于自动化装配线使用,提高了生产效率。
  该器件的hFE参数在不同型号等级中有多种选择,如MMBTH10的O档、Y档等,这使得设计人员可以根据具体需求选择合适的增益等级。晶体管的低饱和电压和快速开关特性使其在低功耗应用中表现出色。

应用

MMBTH10LT1G/MMBTH10晶体管广泛应用于各种电子设备中,如电源开关电路、信号放大器、逻辑电平转换、LED驱动电路、继电器驱动器、音频放大器以及嵌入式控制系统中的缓冲器。此外,它们还常用于通信设备、工业控制模块、消费电子产品和传感器接口电路中。

替代型号

BCX56-10, PN2222A, 2N3904, MMBT3904

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