晶体管类型：NPN 双极性晶体管（双晶体管阵列）
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800，取决于等级
　　频率响应（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23-6

MMBTA94 4Z 是一种高性能的双晶体管阵列，特别适合用于需要两个独立NPN晶体管共享发射极的应用场景。该器件的每个晶体管都有较高的电流增益（hFE），使其适用于低功率放大和高速开关应用。其最大集电极-发射极电压（Vceo）为100V，允许其在较高的电压条件下稳定工作，同时最大集电极电流为100mA，适合多种中低功率应用场景。
　　该晶体管的频率响应（fT）为250MHz，支持高频操作，使其在射频（RF）和高速数字电路中表现出色。此外，该器件的封装采用SOT-23-6小型封装形式，具有良好的热性能和空间利用率，适用于高密度PCB设计。
　　MMBTA94 4Z 的电流增益（hFE）分为多个等级，用户可以根据应用需求选择合适的增益范围，从而优化电路性能。这种灵活性使其广泛用于模拟和数字电路中的信号处理和开关控制。另外，该晶体管具有较低的饱和电压，有助于减少功耗和提高效率，从而在电池供电设备中具有良好的应用前景。

MMBTA94 4Z 主要用于需要双NPN晶体管共享发射极的电路设计，例如差分放大器、推挽输出级、逻辑电平转换、缓冲器和驱动电路等。其高频响应和高增益特性使其在音频放大器、射频前端模块和信号调理电路中表现优异。此外，该器件也常用于数字电路中的开关控制，如LED驱动、继电器控制和传感器信号放大等应用。
　　由于其紧凑的SOT-23-6封装，MMBTA94 4Z 特别适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和工业自动化设备等。其高可靠性和广泛的工作温度范围也使其适用于汽车电子和工业控制领域。

MMBTA94, MMBT2907A, BCX55-10