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MMBTA63LT1G 发布时间 时间:2025/5/13 13:19:10 查看 阅读:6

MMBTA63LT1G是一款超小型表面贴装双极性晶体管(NPN型),主要用于高频和高速开关应用。它采用了先进的工艺制造,具有低噪声、高增益和出色的频率响应等特性。这款晶体管广泛应用于无线通信设备、射频模块、音频放大器以及各种消费类电子产品中。
  该器件的工作电压范围宽泛,能够承受较高的电流和功率,同时其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的设计环境。

参数

集电极-发射极击穿电压:25V
  集电极最大连续电流:0.2A
  直流电流增益(hFE):175~400
  过渡频率(fT):900MHz
  功耗:320mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

MMBTA63LT1G具有非常高的频率响应能力,其过渡频率高达900MHz,因此非常适合用于高频信号处理。
  此外,该晶体管的直流电流增益处于一个合理区间,能够在保持高增益的同时确保稳定性。
  器件采用SOT-323小型封装,这不仅节省了PCB板的空间,还提高了装配效率。
  它的耐热性能优秀,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,适合工业级或汽车级应用场景。

应用

该晶体管被广泛应用于高频振荡器、混频器、调制解调器、无线数据传输模块以及便携式电子设备中的信号放大部分。
  在消费电子领域,它可以用于蓝牙耳机、智能家居控制器以及其他需要高效能和小体积设计的产品中。
  此外,在一些专业音频设备中,MMBTA63LT1G也能够提供清晰且不失真的声音放大效果。

替代型号

MMBT3904LT1G

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MMBTA63LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBTA63LT1GOSTR