时间：2025/5/23 15:33:09
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IPD038N06NF2S 是一款高性能的 N 沃特定压 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度方面表现出色，能够显著提高系统的效率和性能。
这款芯片具有出色的热特性和耐用性，非常适合需要高效能和可靠性的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：79nC
反向恢复时间：16ns
工作结温范围：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关特性，适合高频开关应用。
3. 强大的过流能力，支持高达38A的连续漏极电流。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 紧凑的设计和高可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 工业控制
5. 充电器及适配器
6. LED 驱动器
7. 电池管理系统(BMS)
IPD040N06NF2S, IPB038N06NFG2S
