晶体管类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：300V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23

MMBTA517-RTK/P晶体管具有多项出色的电气特性，使其适用于多种高频和低功耗电路设计。其集电极-发射极电压（VCEO）为300V，允许在高压环境下稳定工作，同时其最大集电极电流为100mA，能够满足中等功率信号放大和开关应用的需求。该器件的过渡频率（fT）达到250MHz，确保了在射频和高速开关电路中的优异性能。
　　此外，MMBTA517-RTK/P采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具备良好的热稳定性和机械强度，有助于提高器件的长期可靠性。其最大功耗为300mW，能够在不使用散热片的情况下正常运行，适用于便携式设备和低功耗系统。
　　这款晶体管的电流增益（hFE）通常在110至800之间，具体数值取决于工作电流和温度条件。这种宽范围的增益特性使其适用于多级放大电路中的前置放大级，从而提高整体系统的信号增益。此外，其低噪声特性也使其在射频前端和低噪声放大器（LNA）中表现优异。

MMBTA517-RTK/P晶体管广泛应用于射频放大器、低噪声放大器（LNA）、开关电路、逻辑电路以及各种模拟信号处理电路。由于其高频率响应和良好的放大性能，它常被用于通信设备、无线模块、传感器接口电路以及消费类电子产品中的信号处理模块。此外，该晶体管还可用于音频放大器、电压调节电路和脉冲宽度调制（PWM）控制电路等应用场景。

MMBTA417-RTK/P, MMBT2907-RTK/P, BC807-40