类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBTA44-T/R晶体管具有优异的开关特性和较高的电流增益，适合在多种模拟和数字电路中使用。其SOT-23封装形式节省空间，适合高密度PCB设计。
　　这款晶体管的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压最大可达40V，使其在多种电源管理应用中具有较高的可靠性。此外，MMBTA44-T/R的电流增益（hFE）范围为110到800，具体数值取决于集电极电流的大小，这为设计者提供了更大的灵活性。
　　在频率响应方面，MMBTA44-T/R具有良好的高频特性，能够支持高达100MHz的过渡频率（fT），这使得它在射频和高速开关应用中表现出色。同时，该器件的功耗较低，最大功耗为300mW，有助于提高系统的能效。
　　由于其稳定的性能和广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），MMBTA44-T/R适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境下的应用。

MMBTA44-T/R晶体管广泛应用于各种电子电路中，包括低功率放大器、逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制、电源开关以及通用逻辑电路等。此外，它也常用于音频放大器的前置放大级、数字电路的缓冲器和驱动器，以及通信设备中的信号处理电路。
　　在嵌入式系统中，MMBTA44-T/R可用于控制外部负载，如小型电机、继电器或LED显示屏。由于其较高的电流增益和快速开关能力，该晶体管非常适合用于微控制器（MCU）与高功率外设之间的接口电路。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，MMBTA44-T/R可用于电源管理、信号切换和传感器接口电路。此外，该器件也广泛应用于工业自动化控制系统、测试测量设备以及汽车电子模块中。

MMBTA44-TP, BC847, 2N3904, PN2222A