MA40E7R 是由东芝(Toshiba)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理模块。该器件采用高性能的U-MOS技术,具有低导通电阻(Rds(on))特性,从而降低导通损耗并提高系统效率。MA40E7R采用了常见的表面贴装封装(SOP),适用于自动装配工艺,提升了制造效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大值为7.5mΩ(典型值可能更低,视Vgs而定)
功率耗散(Pd):120W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:SOP(表面贴装)
MA40E7R的主要特性包括:
1. **低导通电阻**:其Rds(on)最大值为7.5mΩ,这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高整体系统效率。
2. **高电流能力**:高达120A的连续漏极电流能力,使其适用于高功率密度的设计,如电动工具、电源适配器、电池管理系统等。
3. **高可靠性**:采用先进的U-MOS技术和高质量封装,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。
4. **快速开关特性**:具有较低的输入电容(Ciss)和门极电荷(Qg),有助于实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
5. **过热保护**:在高温环境下仍能保持稳定工作,适用于恶劣工业环境。
6. **易于并联**:由于其正温度系数特性,多个器件并联使用时可实现良好的电流共享,进一步提升系统性能。
MA40E7R适用于多种功率电子系统,包括:
1. **DC-DC转换器**:如升降压转换器、同步整流器等,用于高效能电源管理系统。
2. **电机控制**:如无刷直流电机驱动、电动工具、无人机动力系统等,提供高效的开关控制。
3. **负载开关**:用于智能电源管理、移动设备电源切换等场合。
4. **电池管理系统(BMS)**:如电动车、储能系统中的充放电控制电路。
5. **工业自动化**:用于PLC、伺服驱动器、变频器等设备中的功率控制模块。
6. **消费类电子产品**:如高性能笔记本电脑、游戏主机、智能家电等对效率要求较高的电源模块。
SiR142DP-T1-GE3, IRLB8726PbF, AO4407A, FDS4410A, IPP045N03L G