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MMBTA43LT1G 发布时间 时间:2025/5/13 19:03:06 查看 阅读:18

MMBTA43LT1G 是一款 NPN 型的小信号晶体管,采用 SOT-23 封装形式。这种晶体管通常用于高频开关和放大电路中,具有低噪声、高增益的特点。其设计适用于便携式设备和其他对空间要求较高的应用场景。
  该器件的制造商为 ON Semiconductor(现为安森美半导体),广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。

参数

集电极-发射极电压:30V
  集电极电流:-200mA
  直流电流增益 (hFE):100 至 300
  功率耗散:345mW
  过渡频率 (fT):1GHz
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MMBTA43LT1G 晶体管的主要特点是其卓越的高频性能,适合高速开关应用。此外,它还具备以下优点:
  1. 高增益,能够提供出色的信号放大能力。
  2. 极低的噪声系数,使其非常适合于音频和射频电路中的低噪声放大器。
  3. 小型化的 SOT-23 封装,有助于节省 PCB 空间并提高布局灵活性。
  4. 宽广的工作温度范围,确保了其在各种环境条件下的稳定性。
  5. 高可靠性和耐用性,适合长时间运行的应用场景。

应用

该晶体管适用于多种电子电路,包括但不限于以下领域:
  1. 高频开关电路,如电源管理模块。
  2. 射频放大器和混频器。
  3. 便携式设备中的信号处理电路,例如手机、平板电脑和可穿戴设备。
  4. 工业控制和自动化系统中的接口电路。
  5. 音频前置放大器和低噪声放大器设计。
  6. 数据通信和网络设备中的高速信号传输电路。

替代型号

MMBT43LT1G, MMBTA42LT1G

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MMBTA43LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)200V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)