时间：2025/7/16 12:52:06
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IXFH12N50F是一款由IXYS公司生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用N沟道增强型技术，适用于高电压应用场合。其额定电压为500V，额定电流为12A，能够满足多种功率转换和开关应用的需求。IXFH12N50F在性能上具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性等特性。
这款MOSFET广泛应用于工业电源、电机驱动、开关模式电源（SMPS）、逆变器以及其他需要高效功率控制的领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.7Ω
栅极电荷：45nC
总开关损耗：1.8mJ
工作温度范围：-55℃至+150℃
IXFH12N50F具有以下关键特性：
1. 高耐压能力：其500V的漏源击穿电压使其非常适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：典型值为0.7Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：小的栅极电荷（45nC）和低输出电容保证了高效的开关操作。
4. 良好的热稳定性：在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 强大的雪崩能力：增强了器件在异常情况下的可靠性。
6. 小型化封装：DPAK封装形式既节省空间又便于散热管理。
IXFH12N50F适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 不间断电源（UPS）系统
4. 逆变器和转换器
5. 照明镇流器
6. 各种高电压功率控制设备
由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET在需要高效功率管理和高可靠性的场景中表现优异。
IXFX12N50,
IRFP460,
FDP12U50,
STP12NM50
