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MMBTA13LT1G 发布时间 时间:2025/5/8 15:26:48 查看 阅读:9

MMBTA13LT1G是一种NPN型的小信号晶体管,主要应用于高频放大、开关和检波等场景。该器件采用了SOT-23封装形式,具有体积小、重量轻的特点,适合于高密度安装的电路设计。其出色的频率特性和低噪声性能使其在无线通信、射频模块以及其他高频电路中得到了广泛应用。

参数

最大集电极电流:0.1A
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大发射极-基极电压:5V
  最大功率耗散:340mW
  过渡频率(fT):8GHz
  直流电流增益(hFE):75
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

MMBTA13LT1G具有较高的增益带宽积和较低的噪声系数,能够在高频条件下保持良好的线性度和稳定性。
  其SOT-23封装不仅能够满足小型化的需求,还具备优异的热性能,有助于提高器件的可靠性和寿命。
  此外,该晶体管的设计充分考虑了射频应用的要求,在高频段表现出卓越的增益和匹配性能。

应用

该晶体管适用于多种高频电子设备中,例如无线通信系统中的射频放大器、混频器和振荡器。
  同时,它也可用于音频设备的前置放大器、工业控制中的开关电路以及消费类电子产品中的信号处理模块。
  由于其低噪声特性和高频性能,MMBTA13LT1G也广泛应用于蓝牙模块、Wi-Fi模块和其他无线传输设备中。

替代型号

MMBTA14LT1G

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MMBTA13LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBTA13LT1GOSMMBTA13LT1GOS-NDMMBTA13LT1GOSTR