APT80GP60B2G是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子领域。该模块由美国的Microsemi(现为Microchip Technology)公司生产,专为高功率和高可靠性应用设计。APT80GP60B2G具有低导通压降、低开关损耗以及高热稳定性等特点,适用于工业电机驱动、电源转换、可再生能源系统等领域。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压:600V
最大集电极电流:80A
最大工作温度:150°C
封装类型:双列直插式(DIP)
导通压降:约2.1V(典型值)
开关损耗:约1.5mJ(典型值)
输入电容:约2500pF(典型值)
短路耐受能力:10μs
绝缘电压:2500Vrms
APT80GP60B2G采用了先进的IGBT技术,具有优异的导通和开关性能。其低导通压降特性使得在高负载条件下,模块的导通损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。此外,该模块的开关损耗较低,使得在高频开关应用中能够保持较低的温度上升,增强了系统的稳定性。APT80GP60B2G还具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流,避免因瞬时故障导致的器件损坏。模块的封装设计具有良好的散热性能,能够有效地将热量传导到外部散热器,进一步提高器件的工作寿命和可靠性。该模块还具备较高的绝缘性能,能够满足工业应用中对电气安全的严格要求。
APT80GP60B2G广泛应用于各种高功率电力电子设备中,包括工业电机驱动器、变频器、电源转换系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。在这些应用中,APT80GP60B2G能够提供高效的功率转换和可靠的电气性能,确保系统的稳定运行。
APT80GP60B2G的替代型号包括APT80GP60J2G、APT80GP60B3G、STGIPN1K60TS-L和SKM100GB12T4。