晶体管类型：PNP型双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBTA13K2D晶体管阵列的主要特性之一是其集成了两个独立的PNP晶体管，使得设计者能够在有限的空间内实现更复杂的电路功能，从而提高电路板的集成度。每个晶体管都具有高电流增益（hFE），通常在110以上，这使得该器件非常适合用于信号放大和低功率开关应用。
　　此外，MMBTA13K2D的SOT-23封装形式具有良好的散热性能和较高的可靠性，适用于表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明它可以在极端温度条件下正常运行，适用于工业级和汽车电子应用。MMBTA13K2D还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于减少功率损耗并提高整体效率。
　　由于其优异的频率响应特性，MMBTA13K2D也适用于高频放大器和开关应用，例如在射频（RF）前端模块中作为驱动放大器使用。此外，该晶体管阵列具有较低的噪声系数，使其适用于音频放大和其他低噪声要求较高的电路。

MMBTA13K2D广泛应用于各种电子系统中，特别是在需要高集成度和紧凑设计的场合。例如，在通信设备中，它可以用于射频信号放大、混频和调制解调电路。在工业控制系统中，该器件常用于逻辑门电路、驱动继电器或LED显示屏。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中，MMBTA13K2D被用于电源管理、信号路由和音频放大电路。由于其低功耗和高效率的特性，该器件也非常适合用于电池供电设备中的开关和控制电路。
　　在汽车电子领域，MMBTA13K2D可用于车身控制模块、仪表盘显示驱动、车载娱乐系统和传感器接口电路。其宽温度范围和高可靠性使其能够适应汽车内部严苛的工作环境。
　　此外，该器件还被广泛用于测试和测量设备、电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器和数字逻辑电路等应用中。

MMBTA14K2D, MMBT2907A, BC857B