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MMBT589LT1 发布时间 时间:2025/5/30 17:23:25 查看 阅读:7

MMBT589LT1是一种NPN型的小信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该晶体管主要用于放大和开关应用,具有低噪声、高增益和快速响应的特点。其封装形式为SOT-23,适合于表面贴装技术(SMT),在空间受限的设计中非常实用。
  该器件的工作电压范围广,能够在高频条件下保持稳定的性能,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

集电极-发射极击穿电压:40V
  集电极电流:150mA
  直流电流增益(hFE):100~400
  功率耗散:315mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-65℃~150℃

特性

MMBT589LT1是一款高性能的NPN小信号晶体管,主要特点如下:
  1. 高增益:直流电流增益(hFE)范围为100到400,适用于多种放大电路。
  2. 快速响应:具有高达300MHz的过渡频率(fT),能够满足高频电路的需求。
  3. 热稳定性:能够在较宽的温度范围内工作(-65℃至150℃),适合于高温环境下的应用。
  4. 小尺寸封装:采用SOT-23封装,便于表面贴装,减少PCB板空间占用。
  5. 可靠性高:经过严格的测试和筛选,确保长时间工作的稳定性和一致性。

应用

MMBT589LT1适用于多种电子电路中的放大和开关功能,包括但不限于以下场景:
  1. 音频放大器:用于音频信号的前置放大。
  2. 开关电路:作为电子开关控制负载的通断。
  3. 脉冲调制电路:处理高频脉冲信号。
  4. 传感器接口:将微弱的传感器信号进行放大处理。
  5. 无线通信设备:用作射频信号的放大和处理元件。
  6. 消费类电子产品:如手机、平板电脑等小型便携式设备内的信号调节模块。

替代型号

2SC589L
  BC847
  KSP589

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MMBT589LT1参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 最大直流电集电极电流1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min100 at 1 mA at 2 V
  • 配置Single
  • 最大工作频率100 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23-3
  • 封装Reel
  • 集电极连续电流- 1 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散310 mW
  • 工厂包装数量3000