类型：PNP型晶体管
　　最大集电极电流：100 mA (Ic)
　　最大集电极-发射极电压：150 V (Vceo)
　　最大集电极-基极电压：150 V (Vcbo)
　　最大发射极-基极电压：30 V (Vebo)
　　最大功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：根据具体后缀不同而变化，典型值范围为110至800
　　频率响应：最高可达100 MHz

MMBT5401 2L晶体管具有优异的电气性能和稳定性，其主要特性包括高电流增益、低饱和压降和良好的热稳定性。此外，该晶体管支持宽泛的工作温度范围，能够在极端环境条件下可靠运行。由于其紧凑的SOT-23封装，MMBT5401适用于高密度电路设计，并且具备较强的抗干扰能力。
　　这款晶体管的电流增益（hFE）具有多个等级选择，用户可以根据具体应用需求选择合适的型号后缀。MMBT5401还具备快速开关能力，使其在数字电路和脉冲电路中表现优异。同时，其低泄漏电流特性在高温环境下依然保持稳定，确保了器件的长期可靠性。
　　MMBT5401 2L的封装形式采用行业标准的SOT-23（2L），便于自动化生产和表面贴装工艺（SMT），大大提高了生产效率并降低了制造成本。

MMBT5401 2L广泛应用于各类电子设备中，主要用途包括信号放大、开关控制、稳压电路、逻辑门电路和电源管理等。在通信设备中，该晶体管常用于射频（RF）信号放大和调制电路。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，MMBT5401被用于音频放大、LED驱动和传感器接口电路。
　　此外，该晶体管还可用于工业控制系统的逻辑电路和继电器驱动电路，提供稳定可靠的开关功能。在汽车电子系统中，MMBT5401也常用于电源管理和信号处理模块，支持车载娱乐系统、仪表盘显示和车载通信设备的运行。
　　由于其优异的高温稳定性和低功耗特性，MMBT5401 2L也适用于一些对可靠性要求较高的航空航天和军事电子设备。

2N3906, BC556, PN2907