FMA19N60E 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。FMA19N60E 采用 TO-220 封装形式,适用于各种电源转换系统,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理模块和工业自动化设备。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,是中高功率应用的理想选择。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):19A
导通电阻(Rds(on)):0.27Ω(最大)
漏极电容(Coss):890pF
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
FMA19N60E 具有以下显著特性:
1. **高压高电流能力**:最大漏源电压可达 600V,最大漏极电流为 19A,适合高压高功率应用。
2. **低导通电阻**:Rds(on) 最大为 0.27Ω,减少了导通损耗,提高了能效。
3. **快速开关性能**:具有较低的输入电容和输出电容,确保快速开关操作,降低开关损耗。
4. **良好的热稳定性**:TO-220 封装具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。
5. **高可靠性**:采用先进的制造工艺,确保器件在恶劣工作条件下仍具有较长的使用寿命。
6. **宽工作温度范围**:工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应多种环境条件。
FMA19N60E 广泛应用于以下领域:
1. **电源转换系统**:如 AC-DC 和 DC-DC 转换器,适用于电源适配器、充电器和 UPS 系统。
2. **工业控制设备**:用于电机驱动、继电器控制和工业自动化系统中的高功率开关控制。
3. **照明系统**:适用于 LED 驱动电源和 HID 灯电源控制。
4. **消费电子产品**:用于高功率家电设备的电源管理模块。
5. **新能源系统**:如太阳能逆变器和风能转换系统的功率开关电路。
FQA19N60C, FCP19N60E, 2SK2143