FMA19N60E 时间：2025/8/9 19:54:26 阅读：29

FMA19N60E 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。FMA19N60E 采用 TO-220 封装形式，适用于各种电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理模块和工业自动化设备。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，是中高功率应用的理想选择。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω（最大）
　　漏极电容（Coss）：890pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMA19N60E 具有以下显著特性：
　　1. **高压高电流能力**：最大漏源电压可达 600V，最大漏极电流为 19A，适合高压高功率应用。
　　2. **低导通电阻**：Rds(on) 最大为 0.27Ω，减少了导通损耗，提高了能效。
　　3. **快速开关性能**：具有较低的输入电容和输出电容，确保快速开关操作，降低开关损耗。
　　4. **良好的热稳定性**：TO-220 封装具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　5. **高可靠性**：采用先进的制造工艺，确保器件在恶劣工作条件下仍具有较长的使用寿命。
　　6. **宽工作温度范围**：工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适应多种环境条件。

应用

FMA19N60E 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源转换系统**：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，适用于电源适配器、充电器和 UPS 系统。
　　2. **工业控制设备**：用于电机驱动、继电器控制和工业自动化系统中的高功率开关控制。
　　3. **照明系统**：适用于 LED 驱动电源和 HID 灯电源控制。
　　4. **消费电子产品**：用于高功率家电设备的电源管理模块。
　　5. **新能源系统**：如太阳能逆变器和风能转换系统的功率开关电路。