MMBT5179-G 时间：2025/8/24 20:13:13 阅读：4

MMBT5179-G 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。这款晶体管设计用于高频放大和开关应用，具有良好的高频响应和较低的噪声系数。MMBT5179-G 采用 SOT-23 封装，是一种小型、轻便的晶体管，适合用于无线通信、射频电路、低噪声放大器等高频应用领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

MMBT5179-G 晶体管具有优异的高频性能，适用于需要高增益和低噪声的应用。其高频响应可达 250MHz，能够满足许多射频和高频放大器的需求。此外，该晶体管具有较高的电流增益，能够在低电流条件下提供稳定的放大性能。其 SOT-23 小型封装设计使其适用于空间受限的 PCB 布局，并且具有良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的低噪声特性使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，尤其在无线通信系统中，如射频接收器前端放大器。MMBT5179-G 在高频工作条件下仍能保持较低的噪声系数和较高的线性度，从而提高信号接收的清晰度和稳定性。此外，其良好的封装热阻特性有助于在高频率下保持较低的温度上升，确保长期运行的可靠性。
　　MMBT5179-G 还具备良好的开关特性，适合用于高速开关电路中。其快速的响应时间和较低的存储时间使其在数字电路和脉冲应用中表现出色。该晶体管的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 150°C，适合在各种恶劣环境下使用。

应用

MMBT5179-G 主要用于射频（RF）放大器、低噪声放大器（LNA）、高频振荡器、射频接收器前端电路、无线通信设备、数据通信设备、测试与测量仪器以及高速开关电路等。它在许多通信系统中被广泛用于信号放大和处理，特别是在需要高频响应和低噪声性能的场景中。此外，该晶体管还可用于音频放大器的高频补偿电路、射频功率放大器的驱动级以及各种电子设备中的信号处理电路。