晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　饱和电压（Vce sat）：最大 0.25 V @ Ic=100mA, Ib=5mA

MMBT5088-NB10216 具备多个显著特性，使其在广泛的电子应用中表现出色。
　　首先，该晶体管具有高电流增益（hFE），可在不同工作条件下提供稳定的放大性能。其 hFE 值范围从 110 到 800，具体取决于器件的等级，从而为设计人员提供灵活性，以适应不同的电路需求。
　　其次，该器件具备良好的高频响应，其过渡频率（fT）可达 100 MHz，使其适用于需要较高频率操作的模拟和数字电路中。这使得 MMBT5088-NB10216 可用于射频（RF）前置放大器、高速开关电路等应用场景。
　　此外，MMBT5088-NB10216 的饱和电压（Vce sat）较低，在 Ic=100mA 且 Ib=5mA 时最大仅为 0.25 V，有助于减少功耗并提高效率，这对于便携式电池供电设备尤为重要。
　　其 SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，适合高密度 PCB 布局。同时，该器件的最大集电极电流为 100mA，最大集电极-发射极电压为 30V，适用于多种中低功率放大和开关任务。
　　最后，该晶体管符合 RoHS 环保标准，适用于工业和消费类电子产品。

MMBT5088-NB10216 主要用于以下几类应用：
　　在模拟电路中，它被广泛用作信号放大器，如音频放大、传感器信号调理、运算放大器的输入级等。由于其高频响应良好，适用于 RF 放大器和混频器等高频电路。
　　在数字电路中，MMBT5088-NB10216 可作为开关晶体管使用，例如在逻辑门电路、缓冲器、电平转换器和 LED 驱动电路中，其低饱和电压和高开关速度使其成为理想选择。
　　此外，该器件常用于电源管理电路中，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电电路等，特别是在便携式设备中，其低功耗特性有助于延长电池寿命。
　　在工业控制和自动化系统中，该晶体管可用于继电器驱动、马达控制、传感器接口等场合。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家电等也广泛采用 MMBT5088-NB10216，因其封装小巧、性能稳定、成本适中。

MMBT5088LT1G, BC847, 2N3904, PN2222A