时间：2025/5/12 21:45:41
阅读：8
MMBT4413DW是一种NPN型双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），常用于开关和放大应用。该器件采用TO-252表面贴装封装形式，具有小型化、低功耗的特点，广泛应用于各种消费电子设备中。
这种晶体管在电路设计中能够提供可靠的性能表现，并且由于其高增益特性，适用于多种场景下的信号放大或负载切换控制。
集电极-发射极电压（Vce）：80V
集电极电流（Ic）：1A
功率耗散（Ptot）：625mW
直流电流增益（hFE）：最小值100，最大值700
过渡频率（fT）：300MHz
存储温度范围：-55℃至+150℃
工作结温范围：-55℃至+150℃
MMBT4413DW晶体管的主要特点包括：
1. 高电流增益，确保优秀的信号放大能力。
2. 小型化的TO-252封装使其适合紧凑型设计需求。
3. 较高的集电极-发射极耐压（80V），能够适应较宽的电压范围。
4. 宽温度范围的操作能力，保证了在不同环境下的可靠性。
5. 低噪声设计，非常适合于音频和射频放大应用。
6. 表面贴装技术（SMD）封装便于自动化生产和高效组装。
该晶体管主要应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的信号放大和开关功能。
2. 音频设备中的前置放大器或驱动级应用。
3. 通信设备中的射频信号处理与放大。
4. 电源管理电路中的负载切换控制。
5. 各种工业自动化控制系统中的逻辑电平转换或信号隔离。
6. 电池供电设备中的节能型开关元件。
2SC4413, MMBT4413
