晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，IC=2mA，VCE=5V）
　　饱和压降（VCE(sat)）：0.2V（典型值，IC=100mA，IB=5mA）

MMBT4403DW 是一款高性能、低功耗的双 NPN 晶体管，采用 SOT-363 小型封装，非常适合空间受限的便携式电子产品设计。其 VCEO 电压为 30V，集电极最大电流为 100mA，能够在较宽的温度范围内稳定运行（-55°C 至 +150°C），适合工业级和消费级应用。
　　该晶体管具有较高的电流增益（hFE 最低为 110），在中低频放大电路中表现出良好的性能。同时，其增益带宽积为 100MHz，使得该器件适用于中高频信号处理应用，如射频放大或数字逻辑开关电路。
　　MMBT4403DW 的饱和压降较低（典型值为 0.2V），在开关应用中能有效降低功率损耗，提高能效。此外，其功耗仅为 200mW，适合用于低功耗系统设计。
　　由于其双晶体管结构，MMBT4403DW 可用于构建差分放大器、推挽输出级、缓冲电路、电平转换电路等多种功能模块。SOT-363 封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺（SMT），提高生产效率。

MMBT4403DW 广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、工业控制电路和通信设备中。常见应用包括：
　　1. **数字逻辑开关电路**：用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载。
　　2. **信号放大电路**：在音频放大器、射频信号放大器中作为前置放大级。
　　3. **差分放大器**：构建高精度模拟信号处理电路。
　　4. **电平转换与缓冲电路**：在数字系统中进行电压电平转换或信号隔离。
　　5. **电源管理电路**：用于控制电源开关或稳压电路中的调节元件。

MMBT4401DW, MMBT4403LT1, MMBT4403LT3, BC847BDS, BC847B