晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：600 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：40 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：60 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）范围：110-800（根据等级不同）
　　频率响应：250 MHz（典型）

MMBT4401LT11G具有多项优良的电气特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其高电流增益（hFE）范围为110至800，根据不同的等级划分，提供了良好的放大性能，适用于低频和中频放大器设计。其次，该晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，通常在150 mV至300 mV之间，这意味着在开关应用中具有较低的导通损耗，提高了能效。
　　此外，MMBT4401LT11G的频率响应可达250 MHz，适合高频开关和放大应用。该晶体管的工作温度范围广泛，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。SOT-23封装体积小，便于在紧凑型电路板设计中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该器件还具有较高的集电极击穿电压（VCE为40V，VCB为60V），能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理和转换电路。由于其良好的电气特性和可靠性，MMBT4401LT11G被广泛用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子模块。

MMBT4401LT11G晶体管广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器、信号开关以及电源管理电路。例如，在便携式音频设备中，该晶体管可作为前置放大器或驱动扬声器的小功率放大级。在工业控制系统中，它可以用于继电器驱动、LED驱动和传感器信号放大。
　　在通信设备中，MMBT4401LT11G可用于射频（RF）前端模块中的开关和低噪声放大器。其高频响应和低饱和电压特性也使其适用于DC-DC转换器、电机控制电路和电池充电管理电路。此外，该晶体管在汽车电子系统中也得到广泛应用，例如车载娱乐系统、车身控制模块以及车载传感器接口电路。
　　由于其封装小巧、性能稳定，MMBT4401LT11G也非常适合用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备中的信号处理和开关控制电路。

MMBT4401LT1G, MMBT4401LT3G, PN2222A, BCX70