型号：BUK110-50DL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：11A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：44A
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：4V典型值
　　输入电容（Ciss）：1730pF @ Vds=250V
　　输出电容（Coss）：390pF @ Vds=250V
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)
　　导通延迟时间（td(on)）：25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：65ns

BUK110-50DL采用了英飞凌先进的Superjunction沟槽结构技术，实现了在500V击穿电压等级下的极低导通电阻，有效降低了导通损耗，从而显著提升电源系统的整体效率。其Rds(on)典型值仅为0.11Ω，在同类器件中表现出色，尤其适合大电流应用场景，如高功率密度AC-DC适配器、光伏逆变器和工业电源模块等。该器件具备出色的开关性能，输入和输出电容较小，配合快速的开关延迟时间（导通25ns，关断65ns），使得其在高频开关操作中仍能保持较低的开关损耗，有助于缩小磁性元件体积并提高系统响应速度。
　　此外，BUK110-50DL具有良好的热稳定性，TO-263封装提供了优良的散热路径，支持通过PCB铜箔或外加散热片进行有效热管理，确保长时间高负载运行时的可靠性。其栅极氧化层经过优化设计，可承受±30V的栅源电压，增强了抗噪声干扰能力和抗静电（ESD）能力，减少了因误触发导致的失效风险。该MOSFET还具备一定的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或感性负载切换时吸收部分能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的生存率。
　　在制造工艺方面，BUK110-50DL遵循严格的品质控制流程，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，虽非车规专用型号，但在严苛工业环境中依然表现稳健。器件的阈值电压典型值为4V，兼容常见的10V或12V驱动电路，无需额外升压即可实现完全导通，简化了驱动设计。同时，较低的栅极电荷（Qg）也意味着驱动电路所需提供的驱动功率更小，有利于降低控制芯片的负担和系统功耗。综合来看，BUK110-50DL是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的中高压功率MOSFET，特别适用于追求高效率与紧凑设计的现代电力电子系统。

BUK110-50DL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能转换和稳定可靠运行的场合。它常见于离线式反激变换器、正激变换器以及LLC谐振转换器等拓扑结构中，作为主开关管用于将交流输入整流后的直流电压进行斩波控制，实现稳压输出。由于其500V的耐压能力和11A的持续电流承载能力，非常适合用于200W至500W范围内的电源设计，例如服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化设备的供电单元。
　　在LED照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，BUK110-50DL可用于有源PFC（功率因数校正）升压电路或后级DC-DC转换阶段，帮助提升系统功率因数并减少谐波污染，满足能源效率法规要求。其快速开关特性也有助于实现调光功能的精确控制。
　　此外，该器件还可用于电机驱动应用，如家用电器中的变频压缩机或风扇控制，作为逆变桥臂的一部分执行PWM调制。在太阳能微型逆变器或储能系统的小型化逆变模块中，BUK110-50DL也能胜任直流到交流的转换任务，凭借其低导通损耗和良好热性能保障长期运行稳定性。
　　由于采用TO-263表面贴装封装，BUK110-50DL适用于自动化贴片生产线，适合大批量制造场景。其封装形式既支持自然散热也允许加装散热器以应对更高功率密度需求，因此在工业控制、医疗电源、电信整流器等领域均有广泛应用。总体而言，该器件以其均衡的电气性能和成熟的工艺基础，成为众多中等功率电力电子设计中的优选方案之一。

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　　 "SPW47N50C3",
　　 "STW48N50",
　　 "FQP50N50",
　　 "IRFP460LC",
　　 "IXFH16N50P"
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