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MMBT3906_R1_000Z8 发布时间 时间:2025/9/13 8:29:17 查看 阅读:9

MMBT3906_R1_000Z8 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的通用型PNP双极性晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装。该晶体管广泛用于开关和放大应用,具有良好的性能和稳定性,适合在各种电子电路中使用。MMBT3906系列晶体管是工业标准型号之一,具有广泛的兼容性和替代性。

参数

类型:PNP双极性晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):40V
  最大集电极-基极电压(Vcb):40V
  最大功耗(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):100至300(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

MMBT3906_R1_000Z8晶体管具有多个显著的电气和物理特性。首先,它的电流增益(hFE)范围较宽,通常分为不同等级,例如hFE在100到800之间,使其能够适应不同放大需求。这种晶体管的基极-发射极电压(Vbe)约为-0.65V至-0.95V(在Ic=2mA时),这表明它在小信号放大应用中具有较高的线性度和稳定性。此外,该器件的过渡频率(fT)通常可达100MHz以上,使其适用于高频放大电路。由于采用SOT-23封装,该晶体管具有较小的体积和良好的热性能,适合高密度PCB设计。同时,该晶体管的工作温度范围宽广,从-55°C到+150°C,确保了在极端环境下的可靠性。
  MMBT3906_R1_000Z8的制造工艺采用先进的硅外延平面技术,确保其在高温和高电流条件下仍能保持稳定的性能。此外,该晶体管还具备较强的抗静电能力,减少了在生产和使用过程中受到静电损坏的风险。其低饱和压降(Vce_sat)特性(通常小于0.2V,在Ic=100mA时)使其在开关应用中效率更高,降低了功耗和发热。这些特性共同确保了MMBT3906_R1_000Z8在多种电子应用中的稳定性和高效能表现。

应用

MMBT3906_R1_000Z8晶体管广泛应用于多个电子领域。在放大电路中,它常用于音频放大器、信号放大器以及传感器接口电路,提供稳定的信号放大功能。在开关电路中,该晶体管可用于驱动继电器、LED、小型电机等负载,适用于自动化控制、消费电子和工业设备等领域。此外,它还可用于逻辑电平转换、缓冲器和逆变器等数字电路应用。在通信设备中,MMBT3906_R1_000Z8可用于射频(RF)前端模块中的信号处理和调制电路。由于其良好的温度特性和稳定性,该晶体管也被广泛应用于汽车电子系统,如车载传感器、控制模块和照明驱动电路。在便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该晶体管因其小型封装和低功耗特性而被广泛采用。

替代型号

BC807-25, PN2907A, 2N3906, MMBT3906LT1G, MMBT3906AWT1G

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