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MMBT3904WLT1G 发布时间 时间:2025/5/7 13:10:57 查看 阅读:18

MMBT3904WLT1G 是一种 NPN 型硅晶体管,广泛应用于信号放大和开关电路。该器件采用 TO-236-3 封装形式,具有小型化、低噪声和高增益的特点,适用于各种消费类电子产品及工业控制应用。它属于 ON Semiconductor(现为安森美半导体)推出的 MMBT 系列晶体管产品之一。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):200mA
  连续集电极功耗(Ptot):310mW
  直流电流增益(hFE):最小值 100,典型值 300
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MMBT3904WLT1G 晶体管具有以下特点:
  1. 高增益性能,适合需要精确控制的小信号放大应用。
  2. 工作频率范围广,能够满足多种高频及低频应用场景的需求。
  3. 具备低饱和电压和快速开关能力,适用于开关电路。
  4. 采用无铅封装设计,符合环保 RoHS 标准要求。
  5. 温度稳定性好,在较宽的工作温度范围内仍能保持稳定的性能表现。

应用

该晶体管常用于以下领域:
  1. 音频设备中的小信号放大。
  2. 各种电子开关电路,如继电器驱动、LED 驱动等。
  3. 无线通信系统中的射频前端模块。
  4. 测量仪器中的信号调节与处理。
  5. 电池供电设备中的电源管理部分。
  6. 工业自动化设备中的传感器接口电路。

替代型号

2N3904, BC337, MPS2222A

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