时间：2025/5/7 13:10:57
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MMBT3904WLT1G 是一种 NPN 型硅晶体管，广泛应用于信号放大和开关电路。该器件采用 TO-236-3 封装形式，具有小型化、低噪声和高增益的特点，适用于各种消费类电子产品及工业控制应用。它属于 ON Semiconductor（现为安森美半导体）推出的 MMBT 系列晶体管产品之一。
集电极-发射极电压（VCEO）：40V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
最大集电极电流（IC）：200mA
连续集电极功耗（Ptot）：310mW
直流电流增益（hFE）：最小值 100，典型值 300
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
MMBT3904WLT1G 晶体管具有以下特点：
1. 高增益性能，适合需要精确控制的小信号放大应用。
2. 工作频率范围广，能够满足多种高频及低频应用场景的需求。
3. 具备低饱和电压和快速开关能力，适用于开关电路。
4. 采用无铅封装设计，符合环保 RoHS 标准要求。
5. 温度稳定性好，在较宽的工作温度范围内仍能保持稳定的性能表现。
该晶体管常用于以下领域：
1. 音频设备中的小信号放大。
2. 各种电子开关电路，如继电器驱动、LED 驱动等。
3. 无线通信系统中的射频前端模块。
4. 测量仪器中的信号调节与处理。
5. 电池供电设备中的电源管理部分。
6. 工业自动化设备中的传感器接口电路。
2N3904, BC337, MPS2222A
