时间：2025/5/7 10:31:09
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LUMBF160 是一款基于 N 沟道逻辑增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。其设计目标是提供高效率和低功耗的性能，适用于中等功率应用场合。该器件采用 TO-252 封装形式，具备良好的散热特性和电气稳定性。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：3.8A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：90mΩ
最大功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃~150℃
LUMBF160 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用环境。
3. 采用小型化封装设计，有助于节省电路板空间。
4. 高可靠性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 各类负载开关及电池保护电路。
5. LED 驱动器及其他需要高效功率转换的场景。
LUMBF170, IRLZ44N, FDN340P
