MMBT3904M 1N 是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用SOT-23封装,具备小型化、低功耗和高可靠性的特点,适用于消费电子、工业控制和通信设备等多种应用场景。MMBT3904M 1N的设计使其在低电压和低电流条件下表现出色,是通用晶体管中的一种常用型号。
类型:NPN双极性晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):40V
集电极-基极电压(VCBO):60V
发射极-基极电压(VEBO):6V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
MMBT3904M 1N 具备多项优良特性,包括高增益(hFE)范围宽广,适用于多种放大电路;具备良好的频率响应,适用于高频开关应用;其SOT-23封装不仅节省空间,而且便于自动化装配,适用于高密度PCB设计。此外,该晶体管的低饱和电压(VCE(sat))特性有助于降低功耗,提高系统效率。在可靠性方面,MMBT3904M 1N的制造工艺符合工业标准,能够在多种环境条件下稳定工作。
该器件的引脚排列清晰,基极(B)、集电极(C)和发射极(E)易于识别,便于电路设计和调试。MMBT3904M 1N的电气性能稳定,受温度影响较小,能够在较宽的温度范围内保持一致性。同时,其较低的噪声系数使其在模拟信号放大电路中表现优异,适用于音频放大器和传感器信号调理等应用。
由于其通用性,MMBT3904M 1N经常用于数字电路中的开关元件,例如控制LED、继电器或小型电机。此外,它也可以用于构建振荡器、缓冲器和逻辑门等基本电子电路,是电子工程师常用的晶体管之一。
MMBT3904M 1N 的应用场景非常广泛,涵盖消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备等领域。在消费电子产品中,它常用于电源管理、信号放大和逻辑控制,例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为开关或放大器使用。在工业控制领域,该晶体管可用于构建传感器接口电路、继电器驱动电路和电机控制电路。在汽车电子中,它适用于车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电器等应用。此外,MMBT3904M 1N 还可用于通信设备中的射频(RF)开关和信号调节电路,确保设备在高频环境下的稳定运行。
MMBT3904LT1G, PN2222A, BCX70, 2N3904, 2N2222