类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：200mA
　　功率耗散（Pd）：350mW
　　直流电流增益（hFE）：100 @ IC = 10mA, VCE = 1V
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

MMBT3904L-AE3-R具备出色的高频响应能力和稳定的直流电流增益，适用于高速开关和小信号放大应用。其过渡频率高达300MHz，确保在高频条件下仍能保持良好的增益性能，适合用于射频前端、时钟缓冲和数字逻辑驱动等场景。该器件的直流电流增益（hFE）典型值在100以上，并在宽电流范围内保持稳定，提升了电路设计的可靠性与一致性。SOT-23封装具有较小的寄生电感和电容，有助于减少高频信号失真，同时便于自动化装配，提升生产效率。
　　该晶体管的热性能优良，在环境温度较高的工作条件下仍能保持稳定运行。其最大功耗为350mW，结合低热阻封装设计，能够有效散发工作过程中产生的热量。此外，MMBT3904L-AE3-R具备良好的击穿电压特性，集电极-发射极电压可达40V，适用于多种低压电源系统。器件的饱和压降低，确保在开关模式下具有较小的导通损耗，提高整体能效。
　　该型号符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持环保生产工艺。其无铅镀层设计兼容现代回流焊工艺，避免因高温焊接导致的引脚氧化或虚焊问题。产品经过严格的质量控制和可靠性测试，包括高温反向偏置、温度循环和湿度敏感度等级评估，确保在恶劣环境下长期稳定运行。MMBT3904L-AE3-R还具备良好的互换性，可直接替代其他厂商的同类SOT-23封装NPN晶体管，简化供应链管理。

MMBT3904L-AE3-R广泛应用于各类电子系统中的信号放大与开关控制场合。常见用途包括音频前置放大器、运算放大器输入级、LED驱动电路、继电器或负载的开关控制、DC-DC转换器中的驱动级以及数字逻辑接口电平转换。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该晶体管常用于电源管理单元中的状态指示灯控制或传感器信号调理电路。
　　在通信领域，该器件可用于射频信号的缓冲放大或调制解调电路中的开关元件。由于其高过渡频率和低噪声特性，也适用于高频振荡器和脉冲信号处理电路。工业控制系统中，MMBT3904L-AE3-R常被用作微控制器输出信号的驱动放大，以控制继电器、光耦或电机驱动芯片。此外，在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等设备中，它承担着各类传感器信号采集、按钮去抖动和电源序列控制等功能。
　　得益于其小型封装和高性能表现，该晶体管特别适合高密度PCB布局和空间受限的应用场景。无论是批量生产还是原型开发，MMBT3904L-AE3-R都能提供稳定可靠的性能，是工程师在设计低功耗、高性能模拟与数字混合电路时的常用选择之一。