晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：35-300（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBT2222AE具有良好的高频性能，过渡频率（fT）高达250 MHz，适合用于射频（RF）和高速开关应用。其电流增益范围宽广，从35到300不等，提供了灵活的设计选择。该晶体管的SOT-23封装体积小巧，适合高密度PCB布局。
　　此外，MMBT2222AE的功耗较低，最大为300 mW，有助于提高系统能效并减少散热需求。其最大集电极电流为100 mA，适合中低功率应用。晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度稳定性，可在恶劣环境下可靠运行。
　　该器件的结构设计确保了较低的饱和压降（Vce_sat），在导通状态下能有效减少功率损耗，提高开关效率。MMBT2222AE的参数一致性较高，适合批量生产中的稳定性要求。

MMBT2222AE常用于模拟和数字电路中的信号放大和开关控制。典型应用包括音频放大器、射频前端电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动和电源管理模块。该晶体管也广泛用于嵌入式系统中的GPIO接口扩展和传感器信号调理电路。
　　在通信领域，MMBT2222AE可用于低噪声放大器（LNA）和射频开关电路。在工业自动化中，它可作为继电器或MOSFET的驱动级，实现高效的负载控制。由于其良好的高频响应，MMBT2222AE也常用于振荡器和调制电路。
　　此外，该晶体管还可用于数字逻辑电路中的电平转换和缓冲器设计，支持多种电压标准之间的信号兼容。在消费电子产品中，MMBT2222AE被广泛应用于电池充电管理、背光控制和电机驱动等场景。

MMBT2222A, PN2222A, 2N3904