时间：2025/12/27 7:30:52
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MMBT1815G-GR-AE3-R是一款由ROHM Semiconductor生产的NPN双极结型晶体管（BJT），采用小型表面贴装封装（SOT-23或同等小型封装），专为高频放大和高速开关应用设计。该器件具有优异的增益性能和快速响应能力，适用于便携式电子设备中的信号处理与控制电路。MMBT1815G-GR-AE3-R在制造过程中符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品的需求。该晶体管通过AEC-Q101汽车级认证，具备较高的可靠性，广泛应用于汽车电子、消费类电子以及工业控制领域。其高hFE（直流电流增益）特性使其在小信号放大场景中表现优异，同时具备良好的温度稳定性和低漏电流特性，确保在各种工作环境下保持稳定的电气性能。此外，该器件支持卷带包装（tape and reel），便于自动化贴片生产，提升制造效率。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：60V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（Pd）：200mW
直流电流增益（hFE）：70 - 700
过渡频率（fT）：200MHz
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装
MMBT1815G-GR-AE3-R具备出色的直流电流增益（hFE）范围，典型值在70至700之间，能够在宽电流范围内提供稳定且高效的放大能力，特别适用于音频前置放大、射频信号放大等对增益一致性要求较高的场合。
该晶体管的过渡频率高达200MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应速度和信号保真度，适合用于高速开关电路，如逻辑门驱动、脉冲信号处理和数字控制模块。
器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，在IC = 10mA时典型值约为0.1V，有助于降低功耗并提高能效，尤其在电池供电设备中意义重大。
热稳定性方面，MMBT1815G-GR-AE3-R的工作结温可达+150°C，并能在-55°C的低温环境下正常运行，适应极端环境下的使用需求，增强了系统整体的可靠性。
由于采用了SOT-23小型封装，该晶体管占用PCB空间极小，非常适合高密度布局的现代电子产品，如智能手机、可穿戴设备、无线通信模块等。
此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保长期使用的稳定性与安全性。其AEC-Q101认证也使其成为汽车传感器、车载信息娱乐系统和车身控制单元的理想选择。
广泛应用于便携式消费类电子产品中的小信号放大与开关控制，例如手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的音频放大电路和电源管理模块。
在通信设备中用于射频前端信号调理、调制解调电路以及低噪声放大器设计，发挥其高频响应和低失真优势。
作为驱动器用于LED指示灯、继电器或小型显示屏的背光控制，利用其快速开关特性和低导通压降实现高效节能。
在工业自动化控制系统中，常用于光电传感器、接近开关和微控制器I/O扩展电路中的电平转换与信号隔离功能。
因其具备AEC-Q101认证，也被大量应用于汽车电子系统，如车窗升降控制、雨刷电机驱动、车内照明调节及各类传感器信号放大电路。
此外，在家用电器如智能电视、路由器、无线遥控器中，该晶体管用于实现按键扫描、状态切换和信号缓冲等功能，表现出良好的耐用性和一致性。
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"MMBT1815, MMBT1815DW, MMBTA18, FMMT1815, BC817-40"
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