时间：2025/6/16 8:31:26
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GA1206Y393KBJBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为需要高效能开关和低导通电阻的应用而设计。该型号属于沟道型 MOSFET，具有高电流处理能力和快速开关速度的特点，适用于各种功率转换电路、电机驱动以及负载开关等场景。
类型：MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源电压）：1200V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ
Id（连续漏极电流）：60A
Vgs(th)（栅极开启电压）：4V
Qg（栅极电荷）：180nC
f（工作频率）：100kHz
Pd（总功耗）：350W
GA1206Y393KBJBT31G 具备出色的热性能和电气性能。其高击穿电压使其非常适合高压应用环境，同时低导通电阻可以减少能量损耗，提高系统效率。
该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热能力，可有效降低运行温度并提升可靠性。
MOSFET 的快速开关速度有助于减少开关损耗，特别是在高频工作条件下表现优异。
此外，它还具有较低的输入和输出电容，进一步优化了动态性能，并且在多种工业级和消费级电子设备中表现出色。
该型号广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车控制器、电机驱动器、负载开关等领域。
其高耐压和大电流承载能力使它成为许多高压和大功率应用的理想选择。同时，由于其出色的效率表现，也常用于需要节能和高效工作的场景，例如数据中心供电模块和工业自动化设备中的电源管理单元。
GA1206Y393KBJBZ21G, IRFP260N, FQA60P12
