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MMBT123S-7 发布时间 时间:2025/12/26 12:57:22 查看 阅读:19

MMBT123S-7是一种表面贴装的小信号NPN晶体管,采用SOT-23(SC-59)封装,广泛应用于便携式电子设备中的开关和放大电路。该器件由多家半导体制造商生产,如Diodes Incorporated等,具有良好的电气性能和可靠性,适合在高密度印刷电路板上使用。MMBT123S-7的结构设计优化了开关速度和电流增益,使其在低电压、低电流环境下表现出色。该晶体管通常用于电源管理、LED驱动、逻辑缓冲、继电器驱动以及小型负载控制等场景中。其SOT-23封装形式支持自动化贴片工艺,适用于大规模生产。此外,该器件符合RoHS环保要求,无铅且绿色环保,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业、消费类电子及通信设备等多种应用领域。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):60 - 400(测试条件IC = 10mA, VCE = 1V)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

MMBT123S-7具备优异的开关特性和稳定的直流电流增益,能够在低至0.7V的基极-发射极电压下有效导通,确保在低功耗系统中实现高效的开关操作。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围宽,典型值可达200以上,在不同工作电流下仍能保持较高的放大能力,适用于小信号放大电路,如音频前置放大或传感器信号调理电路。
  其高频响应性能良好,过渡频率(fT)高达100MHz,使得该器件不仅可用于直流开关应用,还能在中频模拟电路中发挥良好作用,例如射频信号切换或脉冲信号处理。
  由于采用SOT-23小型化封装,MMBT123S-7占用PCB面积小,有利于实现紧凑型设计,特别适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的产品。
  热稳定性方面,该器件具有良好的热阻特性,能在+150°C的最高结温下持续工作,同时具备较强的抗静电能力,提升了在实际装配和运行过程中的可靠性。
  此外,MMBT123S-7的制造工艺成熟,批次一致性好,适合自动化贴片生产和回流焊工艺,降低了生产成本并提高了良率。

应用

MMBT123S-7常用于各类电子设备中的信号开关与电平转换电路,例如在微控制器输出驱动中作为接口元件,控制LED指示灯、蜂鸣器或小型继电器的动作。
  在电源管理系统中,它可用于电池供电设备的负载开关,通过控制基极信号来开启或关闭下游电路,从而实现节能目的。
  该晶体管也广泛应用于数字逻辑电路中的电平移位器,将低电压逻辑信号转换为较高电压电平以驱动后续模块。
  在通信设备中,MMBT123S-7可用于RF前端模块的天线切换开关或信号路径选择,利用其快速开关能力和低导通损耗提升系统效率。
  此外,在传感器模块中,该器件可用作信号放大或缓冲级,增强微弱信号的驱动能力。
  消费类电子产品如智能家居设备、无线耳机、充电器控制电路等也普遍采用此类晶体管进行功能扩展与电路保护。

替代型号

MMBT123SA-7-F,MMDT123S-7-F,DMT123S-7-F

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MMBT123S-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)18V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 30mA,300mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)150 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT123SDITR