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MMBFU310LT1 发布时间 时间:2025/5/7 21:45:25 查看 阅读:6

MMBFU310LT1 是一款 NPN 型硅晶体三极管,广泛应用于各种电子电路中作为开关或放大元件。该型号属于 MMBF 系列,具有小型化、低噪声、高增益等特性,适合用于音频设备、消费电子产品以及工业控制等领域。
  这款晶体管采用了 SOT-23 小型表面贴装封装形式,便于在紧凑型设计中使用,同时具备良好的散热性能和可靠性。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散(Ptot):310mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 高增益:MMBFU310LT1 提供了较高的直流电流增益(hFE),使其非常适合用于需要精确控制的场景。
  2. 快速开关能力:其高达 300MHz 的过渡频率(fT)确保了快速的开关速度,适用于高频应用。
  3. 小型封装:采用 SOT-23 表面贴装封装,节省空间并方便自动化生产。
  4. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +150℃ 的存储温度范围,确保了器件在极端环境下的稳定性。
  5. 可靠性高:经过严格的质量测试,保证长期使用的稳定性和一致性。

应用

1. 消费类电子产品中的信号放大与切换。
  2. 音频设备中的前置放大器和驱动级。
  3. 工业控制系统中的传感器接口和信号调理。
  4. 电源管理电路中的辅助开关元件。
  5. 数据通信设备中的高速信号处理模块。

替代型号

MMBT3904LT1
  2SC3361
  BC847B

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MMBFU310LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id2.5V @ 1nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5pF @ 10V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型表面贴装
  • 包装剪切带 (CT)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBFU310LT1OSCT