类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.25Ω（在Vgs=10V条件下）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
　　最大功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92

BF108具备优异的开关特性，其核心优势在于低栅极电荷与较低的导通电阻，这使得它在高频开关应用中表现出色。由于采用了平面硅栅极工艺，该器件在制造过程中实现了良好的均匀性和稳定性，从而提升了整体的可靠性和寿命。其漏源击穿电压为30V，适用于低压直流系统，如12V或24V供电环境下的开关控制。在典型工作条件下，当栅极施加10V电压时，漏源之间的导通电阻仅为0.25Ω左右，这意味着在通过1A电流时，功耗损耗仅为0.25W，有效降低了热积累风险。
　　此外，BF108的阈值电压范围为1V至2.5V，使其能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。这一特性极大地简化了电路设计，提高了系统的集成度。同时，器件具有较快的上升和下降时间，减少了开关过程中的过渡损耗，进一步提升了能效。
　　热稳定性方面，BF108的最大功耗为1W，在自然散热条件下可满足大多数常规应用需求。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应性强，可在工业级温度环境中稳定运行。封装采用标准TO-92形式，体积小、成本低，且易于手工焊接和自动化装配，适合批量生产。尽管其电流承载能力有限，不适合大功率应用场景，但在中小功率开关、LED驱动、继电器控制、电池管理等领域仍具有很高的实用价值。

BF108广泛应用于各类低电压、中等电流的开关控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载切换电路。在DC-DC升压或降压模块中，BF108可作为同步整流管或低端开关管使用，提升转换效率。此外，它也常用于电机驱动电路中，控制小型直流电机的启停与正反转，适用于玩具、家用电器和自动化装置。
　　在照明控制领域，BF108可用于PWM调光电路，驱动LED灯串实现亮度调节。由于其响应速度快、控制精度高，能够有效避免闪烁现象，提升用户体验。在电池管理系统中，该器件可用于过放保护或充放电切换控制，保障电池安全。同时，BF108还可用于各类传感器模块的电源管理，实现按需供电以降低待机功耗。
　　工业控制方面，BF108适用于PLC输入输出扩展板、继电器驱动电路和电磁阀控制单元。其高输入阻抗和低驱动电流需求使其非常适合与微控制器、FPGA等数字逻辑器件配合使用。在通信设备中，也可作为信号通断控制开关，用于音频或数据通道的选择与隔离。总体而言，BF108凭借其良好的电气性能和经济性，在消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域均有广泛应用。