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MMBFJ202 发布时间 时间:2025/5/22 19:03:01 查看 阅读:15

MMBFJ202是一种NPN型的小信号晶体管,主要用于音频放大、开关电路以及其他低功率应用。它具有较高的电流增益和良好的频率特性,适合于高频电路设计。该晶体管在各种电子设备中广泛使用,例如消费类电子产品、通信设备和工业控制等。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散(Ptot):625mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

MMBFJ202晶体管具有以下特点:
  1. 高增益性能,适合用于需要高放大倍数的场合。
  2. 良好的频率响应,能够适应高频信号处理需求。
  3. 低噪声设计,适用于音频信号放大的应用场景。
  4. 小封装尺寸,便于在空间受限的设计中进行布局。
  5. 工作温度范围广,能够在极端环境条件下稳定运行。

应用

该晶体管常用于以下领域:
  1. 音频放大器中的前置放大级或驱动级。
  2. 开关电路,如继电器驱动或LED控制。
  3. 调制解调器和其他通信设备中的信号调节。
  4. 测量仪器和传感器接口电路中的信号增强。
  5. 各种便携式设备中的低功耗电路部分。

替代型号

BC847B, 2SC1815, MPSH10

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MMBFJ202参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)900µA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id800mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大350mW
  • 其它名称MMBFJ202-NDMMBFJ202TR