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MMBFJ112 发布时间 时间:2025/5/19 10:03:53 查看 阅读:2

MMBFJ112 是一种 NPN 型硅晶体管,广泛应用于模拟和数字电路中的开关和放大功能。该晶体管具有低噪声、高增益的特点,适合用于音频放大器、信号调节电路以及其他通用放大和开关应用场景。
  其封装形式通常为 SOT-23,这使得它非常适合空间受限的设计环境。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):100 至 450
  功率耗散(Ptot):360mW
  过渡频率(fT):300MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MMBFJ112 晶体管具有以下显著特点:
  1. 高增益范围,能够实现高效的信号放大。
  2. 极低的噪声系数,特别适合于音频和射频应用。
  3. 小型化的 SOT-23 封装设计,降低了 PCB 空间占用。
  4. 耐高温性能良好,能够在极端环境下保持稳定运行。
  5. 快速切换能力,适用于高频场景。

应用

MMBFJ112 主要应用于以下领域:
  1. 音频放大器中的前置放大级。
  2. 信号调节和处理电路中的开关元件。
  3. 无线通信设备中的射频信号放大。
  4. 工业控制中的传感器接口。
  5. 各种消费类电子产品中的通用开关和放大功能。

替代型号

MMBT3904
  BC847
  2SC1815

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MMBFJ112参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id1V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)50 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大350mW
  • 其它名称MMBFJ112TR