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FDZ208P 发布时间 时间:2025/4/27 10:10:05 查看 阅读:4

FDZ208P是一种NPN型硅双极结型晶体管(BJT),主要用于放大和开关应用。该晶体管具有低饱和电压、高增益和快速开关速度等特点,适合用于各种消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中。其设计允许在较宽的电流和电压范围内稳定工作,同时提供优异的热稳定性。

参数

集电极-发射极击穿电压:45V
  集电极最大电流:1.5A
  直流电流增益(hFE):最小100,典型300
  功率耗散:62.5W
  存储温度范围:-55℃至150℃
  工作结温:-55℃至150℃
  过渡频率(fT):200MHz

特性

FDZ208P采用了先进的制造工艺,确保了其在高频和大电流条件下的卓越性能。
  1. 高增益:直流电流增益(hFE)高达300,使其非常适合于信号放大电路。
  2. 快速切换能力:由于其200MHz的过渡频率,FDZ208P能够满足高速数字逻辑的应用需求。
  3. 热稳定性强:能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能,适用于恶劣的工作环境。
  4. 低饱和电压:这有助于提高效率并减少功耗,尤其是在开关模式下使用时。
  5. 小型化封装:通常采用TO-92或SOT-23等小型封装形式,便于在紧凑型设计中使用。

应用

FDZ208P广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如音频放大器、电视遥控器和其他家用电器中的信号处理模块。
  2. 工业自动化:可用于驱动继电器、小型电机以及其他需要大电流控制的场景。
  3. 通信设备:作为射频前端的一部分,用于信号增强和调节。
  4. 计算机外设:例如打印机、扫描仪等外围设备中的接口电路。
  5. 电源管理:用作开关元件以实现高效的电压转换或负载控制。

替代型号

2SC1815, KSP54C, BC337

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FDZ208P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2409pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳30-WFBGA
  • 供应商设备封装30-BGA(4x3.5)
  • 包装带卷 (TR)