您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A331FBBBT31G

GA1206A331FBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:28:49 查看 阅读:8

GA1206A331FBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优势,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

型号:GA1206A331FBBBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-263
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):3.5mΩ
  Id(持续漏极电流):120A
  Qg(栅极电荷):87nC
  f(工作频率):500kHz
  Ptot(总功耗):240W
  Tj(结温范围):-55℃ to +175℃

特性

GA1206A331FBBBT31G具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达120A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,配合较低的栅极电荷,减少开关损耗。
  4. 强大的热性能,能够承受高温环境并提供稳定的运行表现。
  5. 具备优异的雪崩能力和短路耐受能力,增强了器件的可靠性。
  6. 小型化的TO-263封装设计,节省PCB空间,同时便于散热管理。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  5. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统中作为功率级组件。
  6. 数据中心和服务器电源单元内的高效功率管理方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP120N06SBD

GA1206A331FBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-