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MMBF4393LT1G 发布时间 时间:2025/7/9 18:37:32 查看 阅读:14

MMBF4393LT1G 是一款 NPN 型硅晶体管,广泛用于信号放大和开关应用。该器件具有低噪声特性和较高的增益带宽乘积,非常适合高频和高增益要求的应用场景。其设计符合现代电子设备对小型化和高性能的需求,采用 SOT-23 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),从而提高了安装效率和可靠性。
  该晶体管的主要用途包括音频放大器、射频电路中的小信号放大以及各种逻辑电平开关应用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):150~600
  功率耗散(Ptot):340mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:SOT-23

特性

MMBF4393LT1G 具有以下主要特性:
  1. 高增益带宽乘积,适用于高频信号处理。
  2. 低噪声系数,确保在音频和射频应用中提供清晰的信号传输。
  3. 采用 SOT-23 小型封装,节省 PCB 空间并支持自动化装配。
  4. 工作电压范围广(高达 40V),适应多种电源环境。
  5. 温度稳定性好,在极端环境下仍能保持性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该晶体管适用于以下领域:
  1. 音频设备中的前置放大器和信号调理模块。
  2. 无线通信系统中的射频信号放大和调制解调。
  3. 各种消费类电子产品中的逻辑电平转换和驱动电路。
  4. 测量仪器和工业控制设备中的精密信号处理。
  5. LED 驱动器和其他低功耗开关应用。
  6. 脉冲宽度调制(PWM)控制器中的快速切换功能。

替代型号

MMBT4393LT1G, MMBT4393, BC847C

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MMBF4393LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id500mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开)100 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBF4393LT1GOSMMBF4393LT1GOS-NDMMBF4393LT1GOSTR