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MMBF4391LT1 发布时间 时间:2025/4/29 13:55:59 查看 阅读:4

MMBF4391LT1 是一款 NPN 型高频晶体管,适用于高频放大和开关应用。该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。其优异的高频性能和低噪声特性使其成为射频电路设计中的理想选择。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):75~300
  过渡频率(fT):800MHz
  最大功耗(Ptot):340mW
  封装类型:SOT-23

特性

MMBF4391LT1 拥有高增益和低噪声系数,非常适合用于高频信号处理。它具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  此外,由于采用了 SOT-23 封装,该晶体管体积小、重量轻,非常适合空间受限的应用场景。它的高频特性和快速开关能力使其在无线通信、音频放大器和脉冲调制电路中表现出色。

应用

MMBF4391LT1 广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 高频射频放大器
  2. 调制解调器和通信模块
  3. 无线数据传输系统
  4. 工业自动化控制
  5. 音频前置放大器
  6. 脉冲宽度调制(PWM)电路
  7. 开关稳压电源驱动

替代型号

BC847C, MMBT4391LT1, 2SC3358

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MMBF4391LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)50mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id4V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开)30 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装剪切带 (CT)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBF4391LT1OSCT