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MMBF4093 发布时间 时间:2024/8/8 17:52:17 查看 阅读:304

漏源极电阻:80Ω
  耗散功率:350 mW
  击穿电压:40 V
  输入电容(Ciss):16pF 20V(Vds)
  额定功率(Max):350 mW
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):350 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:SOT-23-3

外形尺寸

长度:2.92 mm
  宽度:1.3 mm
  高度:0.93 mm
  封装:SOT-23-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)

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MMBF4093参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id1V @ 1nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds16pF @ 20V
  • 电阻 - RDS(开)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大350mW