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MMBF170LT1G 发布时间 时间:2025/6/5 17:16:11 查看 阅读:27

MMBF170LT1G是一种NPN型小信号晶体管,广泛用于各种电子电路中。该器件具有低噪声、高增益和高速开关的特点,适用于音频放大、射频放大、混频器、振荡器以及数字电路中的开关应用。
  其封装形式为SOT-23,这种小型表面贴装封装使其非常适合在紧凑型设计中使用,同时提供良好的电气性能和散热能力。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):200mA
  直流电流增益(hFE):100~600
  功率耗散(Ptot):310mW
  过渡频率(fT):300MHz
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

MMBF170LT1G晶体管以其出色的高频性能著称,特别适合于高频放大器和射频电路应用。它的高增益确保了在低输入信号下的高效放大,而低噪声性能则保证了信号的清晰度。
  此外,该器件的高速开关能力使其成为数字逻辑电路的理想选择,尤其是在需要快速切换的应用场景中。其小型化的SOT-23封装不仅节省了PCB空间,还提高了热传导效率,从而增强了长期工作的可靠性。
  由于其宽广的工作温度范围,MMBF170LT1G能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业、汽车及消费类电子产品。

应用

MMBF170LT1G常被应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 音频信号放大器
  2. 射频信号处理电路
  3. 数字逻辑电路中的开关
  4. 振荡器与混频器
  5. 无线通信模块
  6. 工业自动化控制
  7. 汽车电子系统
  这些应用充分体现了该晶体管在高频、低噪声和高可靠性的优势。

替代型号

MMBT170LT1G, 2SC2658

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MMBF170LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBF170LT1GOSMMBF170LT1GOS-NDMMBF170LT1GOSTR