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BCP54-10,135 发布时间 时间:2025/9/14 12:46:33 查看 阅读:7

BCP54-10,135是一款由NXP Semiconductors生产的PNP型晶体管,主要用于高功率和高频应用。该晶体管设计用于需要高效能和高可靠性的场合,例如电源管理和放大器电路。BCP54-10,135采用SOT223封装,具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型:PNP晶体管
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:100V
  最大功率耗散:300mW
  增益带宽积:100MHz
  封装类型:SOT223

特性

BCP54-10,135晶体管具有多个显著特性。首先,其PNP结构和高击穿电压(100V)使其适用于高电压应用。其次,该晶体管的高频性能(100MHz)使其适用于射频和高速开关应用。此外,SOT223封装提供了良好的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性。该晶体管还具有低饱和电压,提高了能效,并且在高温环境下仍能保持稳定性能。BCP54-10,135的高可靠性使其成为工业和汽车电子中的理想选择。

应用

BCP54-10,135晶体管广泛应用于多个领域。其高频性能使其适用于射频放大器和高速开关电路。在电源管理电路中,该晶体管用于调节和开关应用,提供高效的能量转换。此外,BCP54-10,135也常用于工业控制系统中的信号放大和处理。在汽车电子中,该晶体管用于发动机控制和车载电子系统的功率管理。

替代型号

BCP54-10,135的替代型号包括BCP54-10和BCP54-10LT1。这些型号在电气特性和封装上相似,可以在设计中互换使用。BCP54-10,135的用户在寻找替代器件时,应确认其电气参数和封装是否符合具体应用的要求。

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BCP54-10,135参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)63 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大960mW
  • 频率 - 转换180MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SC-73
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称933917190135BCP54-10 /T3BCP54-10 /T3-ND