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MMBF170-7 发布时间 时间:2025/8/2 7:14:27 查看 阅读:25

MMBF170-7是一款由Nexperia(安世半导体)制造的表面贴装型双极结型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件采用SOT-23(SC-59)封装,适用于通用开关和放大应用。MMBF170-7具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于低功率电路设计。由于其紧凑的封装形式和良好的电气性能,它在通信设备、音频放大器、电源管理和工业控制系统中被广泛使用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集射极电压(Vce):30 V
  最大基极电流(Ib):20 mA
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

MMBF170-7晶体管具有多项优异的电气和物理特性,使其适用于多种电子电路设计。
  首先,MMBF170-7的最大集电极电流为100mA,最大集射极电压为30V,这意味着它可以在中等电压和电流条件下稳定运行,适用于低功率放大和开关电路。
  其次,该晶体管的电流增益(hFE)范围为110至800,根据不同的制造批次或规格等级,用户可以选择合适的增益档次,以满足不同的电路设计需求。这种宽泛的增益范围使得MMBF170-7适用于各种放大器配置,如共发射极放大器和射极跟随器。
  此外,MMBF170-7采用SOT-23封装,这种封装形式体积小巧,便于自动化生产和PCB布局,同时具有良好的热稳定性和机械强度。SOT-23封装也适用于表面贴装技术(SMT),提高了电路板的组装效率和可靠性。
  MMBF170-7的最大功耗为300mW,能够在有限的散热条件下保持良好的工作稳定性。其最大工作温度可达150°C,表明该器件在高温环境下仍能正常运行,适用于工业级应用。
  该晶体管的基极、集电极和发射极引脚排列清晰,便于识别和焊接,适用于手工焊接和自动贴片工艺。同时,MMBF170-7具有较低的饱和电压(Vce_sat),通常小于0.2V,这有助于降低电路中的功率损耗,提高整体能效。
  最后,MMBF170-7符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,符合现代电子产品对环保的要求。

应用

MMBF170-7的应用范围广泛,主要集中在需要中等增益和低功耗的电子电路中。
  在通信设备中,MMBF170-7常用于射频(RF)信号放大和调制解调电路。由于其良好的高频响应和稳定的增益特性,它能够有效地放大微弱信号,提高系统的整体性能。
  在音频放大器设计中,MMBF170-7可用于前置放大器或驱动级放大器,提供清晰的音频信号放大。其低饱和电压和高电流增益特性有助于减少信号失真,提高音质。
  在电源管理系统中,MMBF170-7可作为开关元件使用,用于控制负载的通断状态。其快速的开关响应和较低的导通损耗使得它适用于电池供电设备的电源管理电路。
  此外,MMBF170-7也广泛应用于工业控制系统中的传感器信号放大和处理电路。例如,在温度传感器或压力传感器的接口电路中,该晶体管可以用于放大传感器输出的微弱模拟信号,以便后续的模数转换和处理。
  在数字电路中,MMBF170-7可用作逻辑门电路或驱动器,用于控制LED、继电器或其他外围设备的开关状态。由于其封装小巧,也适用于高密度PCB布局的设计需求。

替代型号

MMBF170LT1G、MMBF170LT3G、MMBF170LT1、MMBF170LTR

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MMBF170-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds40pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBF170DITR