型号: MMBD7000FSDKR-ND
　　类型: 双高速开关二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）: 70V
　　最大平均整流电流（Io）: 100mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）: 1.0A
　　反向漏电流（IR）@ VRRM: 100nA
　　正向电压（VF）@ 10mA: 1.0V
　　反向恢复时间（trr）: 4ns
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装形式: SOT-323（6引脚）

MMBD7000FSDKR-ND 具有优异的高频性能和快速的反向恢复时间（trr为4ns），非常适合用于高速开关电路。其双二极管结构允许独立操作，提高了设计的灵活性。此外，该器件的正向压降较低（1.0V@10mA），有助于减少功耗并提高能效。由于其小尺寸的SOT-323封装，它非常适合用于空间受限的应用，如便携式电子设备和自动化控制系统。MMBD7000FSDKR-ND 的高浪涌电流能力（1.0A）使其能够在瞬态条件下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　这款二极管还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在恶劣的环境条件下保持性能稳定。其低反向漏电流（100nA@70V）确保在高阻断电压下仍能保持高效能，非常适合用于精密信号处理和电源管理应用。MMBD7000FSDKR-ND 通常用于信号整流、电平转换、电压钳位和保护电路中，广泛应用于通信模块、传感器接口、嵌入式系统和电源转换器等领域。

MMBD7000FSDKR-ND 主要用于需要高速开关性能和紧凑封装的电子系统中。典型应用包括AC-DC转换器、DC-DC转换器、逻辑电路中的信号整流、输入输出接口的ESD保护、电感负载的反向电压抑制以及各种便携式设备中的电源管理电路。由于其低功耗特性和小型化设计，该器件也常见于电池供电设备、智能手机、平板电脑、工业自动化设备和通信基础设施中。

MMBD7000FST1G-ND, MMBD7000FDSER-ND