时间：2025/7/7 15:46:24
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FN21N3R9B500PAG是一款高性能的功率MOSFET，广泛应用于各种需要高效功率转换和开关操作的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于工业控制、电源管理、电机驱动等应用领域。
其设计优化了开关性能和热效率，能够在高频率和高负载条件下保持稳定的运行状态。
型号：FN21N3R9B500PAG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：9A
导通电阻(Rds(on))：3.2Ω（典型值，在Vgs=10V时）
功耗(Ptot)：140W
封装形式：TO-247
FN21N3R9B500PAG具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达500V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关速度，减少了开关过程中的能量损失。
4. 强大的电流承载能力，最大连续漏极电流可达9A。
5. 热性能优异，适合长时间稳定运行。
6. 具备良好的短路保护能力和抗干扰性能，增强了系统的可靠性。
该芯片适用于多种电力电子设备和系统中，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)的设计与实现。
2. 工业用电机驱动器和变频器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 电动车控制器及电池管理系统。
5. 各类高压开关电路和负载切换模块。
由于其出色的性能和可靠性，FN21N3R9B500PAG成为许多工程师在高压功率转换领域的首选方案。
IRFP460,
FDP18N50,
STP17NF50,
IXYS5N50P
