MC3858B2是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能双极型晶体管阵列芯片,广泛应用于模拟电路、开关电路和功率控制等领域。该器件集成了多个NPN和PNP晶体管,适合需要高稳定性和可靠性的电路设计。MC3858B2采用16引脚DIP或SOIC封装,适合工业控制、电源管理和信号处理等应用场景。
类型:双极型晶体管阵列
晶体管类型:NPN 和 PNP
最大集电极电流:100 mA(每个晶体管)
最大集电极-发射极电压:30 V
最大功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:16引脚 DIP / SOIC
MC3858B2的主要特性包括其集成化设计,能够在单个芯片上提供多个晶体管,从而减少PCB板上的元件数量,提高系统的可靠性和稳定性。该器件采用了先进的双极型工艺技术,确保了良好的电气性能和高频响应。
此外,MC3858B2具有较高的耐压能力,集电极-发射极电压可达30V,适用于中等功率的开关和放大应用。其低饱和压降特性有助于减少功率损耗,提高能效。该器件的工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。
在应用方面,MC3858B2常用于驱动继电器、LED、小型电机和逻辑电路接口。由于其封装形式多样,包括16引脚DIP和SOIC,适合通孔焊接和表面贴装工艺,便于在不同类型的电子设备中使用。
MC3858B2广泛应用于工业自动化控制系统、电源管理模块、信号放大电路、继电器驱动电路、LED显示屏驱动以及汽车电子系统中。其集成多个晶体管的特性使其成为多通道开关控制的理想选择。
ULN2003A, MC3858B1, MC3858B3