最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：300 mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：2.5 A
　　正向压降（IF=100mA）：1.25 V（最大）
　　反向漏电流（VR=100V）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

MMBD4448TW 的核心特性在于其高速开关能力和双二极管结构设计，使其适用于多种电子电路中的信号处理和保护功能。该器件采用了硅外延平面技术，具有良好的热稳定性和高可靠性。其快速恢复时间（trr）通常小于 4 ns，使得它在高频开关应用中表现出色，如通信设备中的信号整流和保护电路。
　　此外，该二极管的低正向压降（在额定电流下最大为 1.25 V）有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。由于其 SOT-23 小型封装，MMBD4448TW 非常适合空间受限的便携式电子产品设计，如智能手机、平板电脑和无线通信模块。
　　器件的双二极管配置使其能够在不同电路中灵活使用，例如用于电压钳位保护、逻辑电平转换或作为高速整流元件。该器件还具有良好的抗静电能力，符合 JEDEC 标准的 ESD 耐受等级，提升了其在工业和消费类应用中的可靠性。

MMBD4448TW 主要应用于以下领域：
　　1. 高频开关电路：由于其快速恢复时间和低正向压降，适用于 RF 电路、数字开关和高速逻辑电路中的信号处理。
　　2. 电压钳位与保护电路：可用于防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害，如电源管理单元和接口电路中的静电放电（ESD）保护。
　　3. 信号整流：在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中用于信号整流和反向电压保护。
　　4. 通信设备：如无线基站、路由器和调制解调器中的高频信号处理模块。
　　5. 消费类电子产品：包括智能手机、可穿戴设备和便携式音频设备中的电源管理与信号控制电路。
　　6. 工业控制系统：用于 PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块中的信号隔离和保护。

1N4148WS, MMBD4148, 1N4448, BAS70-04