MMBD4448DW 是一款 NPN 型硅晶体三极管,专为高频和高增益应用设计。该器件采用小信号晶体管技术制造,具有低噪声和优良的频率特性,适用于射频(RF)放大器、混频器和其他高频电路。它广泛应用于无线通信设备、消费类电子产品和工业控制等领域。
MMBD4448DW 的封装形式为 SOT-23,这是一种小型表面贴装封装,适合高密度印刷电路板(PCB)装配。其紧凑的设计使其成为需要节省空间的应用的理想选择。
集电极-发射极电压(VCEO):40V
集电极电流(IC):200mA
直流电流增益(hFE):150(最小值),典型值为 300
过渡频率(fT):1000MHz
功耗(Ptot):340mW
结温范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高增益性能,适合低功率放大应用。
2. 良好的高频响应,支持高达 1GHz 的工作频率。
3. 小型 SOT-23 表面贴装封装,便于自动化生产和高密度布局。
4. 工作温度范围广,能够适应恶劣的工作环境。
5. 稳定性好,可靠性高,适合长期使用。
6. 具有低噪声特性,特别适合音频和射频电路中的信号放大。
1. 射频(RF)放大器和混频器。
2. 消费类电子产品的音频信号放大。
3. 工业控制系统中的信号调节。
4. 无线通信模块中的前置放大器。
5. 数据传输设备中的高频开关电路。
6. 传感器信号放大与处理。
MBRD4448DW, MMBT4448DW