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STE47N50F 发布时间 时间:2025/7/22 8:31:22 查看 阅读:7

STE47N50F 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流应用。该器件设计用于高效电源转换、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器等应用。STE47N50F 具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):500 V
  最大漏极电流(ID):47 A
  导通电阻(RDS(on)):0.165 Ω(最大)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2 V 至 4 V
  最大栅极电压:±20 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220
  最大耗散功率:125 W

特性

STE47N50F 的核心特性之一是其出色的导通性能和低 RDS(on) 值,这使得器件在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。该器件的高耐压能力(500V)使其适用于中高压功率转换应用,例如开关电源(SMPS)、电机驱动器和光伏逆变器。STE47N50F 还具备良好的热稳定性,其 TO-220 封装能够有效散热,确保在高功率密度设计中的可靠性。
  此外,STE47N50F 的栅极驱动特性优化,能够在较低的栅极电压下实现快速开关,从而降低开关损耗并提高动态响应。该器件的短路和过载能力较强,适用于需要稳定工作的工业级应用。STE47N50F 还具备良好的抗雪崩能力,能够在极端条件下提供额外的保护,提高系统的整体鲁棒性。
  由于其优异的电气性能和高可靠性,STE47N50F 被广泛应用于电源管理和功率电子领域。其封装形式便于安装在散热片上,进一步提升其热管理能力,适用于需要长时间高负荷运行的系统。

应用

STE47N50F 主要用于各种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)以及光伏系统。该器件也可用于工业自动化设备、家用电器中的电机驱动电路以及电动汽车充电系统等应用。其高耐压和大电流能力使其成为中高压功率转换的理想选择。

替代型号

STP47N50F, IRF47N50FD, FQA47N50, FDP47N50

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