时间：2025/7/22 8:31:22
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STE47N50F 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件设计用于高效电源转换、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器等应用。STE47N50F 具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。该器件采用 TO-220 封装，便于散热和安装。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500 V
最大漏极电流（ID）：47 A
导通电阻（RDS(on)）：0.165 Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2 V 至 4 V
最大栅极电压：±20 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
最大耗散功率：125 W
STE47N50F 的核心特性之一是其出色的导通性能和低 RDS(on) 值，这使得器件在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高耐压能力（500V）使其适用于中高压功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、电机驱动器和光伏逆变器。STE47N50F 还具备良好的热稳定性，其 TO-220 封装能够有效散热，确保在高功率密度设计中的可靠性。
此外，STE47N50F 的栅极驱动特性优化，能够在较低的栅极电压下实现快速开关，从而降低开关损耗并提高动态响应。该器件的短路和过载能力较强，适用于需要稳定工作的工业级应用。STE47N50F 还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供额外的保护，提高系统的整体鲁棒性。
由于其优异的电气性能和高可靠性，STE47N50F 被广泛应用于电源管理和功率电子领域。其封装形式便于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力，适用于需要长时间高负荷运行的系统。
STE47N50F 主要用于各种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及光伏系统。该器件也可用于工业自动化设备、家用电器中的电机驱动电路以及电动汽车充电系统等应用。其高耐压和大电流能力使其成为中高压功率转换的理想选择。
STP47N50F, IRF47N50FD, FQA47N50, FDP47N50
