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MMBD352LT1G 发布时间 时间:2025/5/20 19:24:34 查看 阅读:6

MMBD352LT1G 是一款双极性晶体管 (BJT),属于 NPN 型号,广泛应用于信号放大和开关电路。该器件采用 SOT-23 封装形式,具有小体积、高可靠性和低功耗的特点,适用于各种便携式设备及通用电子电路。
  MMBD352LT1G 是 MMBT3904 的一种改进型号,特别优化了散热性能与电气特性,适合高频和高速切换应用。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:200mA
  功率耗散:315mW
  直流电流增益 (hFE):100~300
  过渡频率 (fT):300MHz
  封装形式:SOT-23

特性

MMBD352LT1G 具有以下主要特性:
  1. 高增益稳定性:其直流电流增益 hFE 在 100 至 300 范围内,能够满足不同场景下的放大需求。
  2. 高频响应能力:过渡频率高达 300MHz,适用于高频信号处理和射频前端设计。
  3. 紧凑型封装:采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,非常适合小型化设计。
  4. 低噪声特性:在音频放大和其他低噪声应用中表现出色。
  5. 工作温度范围广:工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应恶劣环境。

应用

MMBD352LT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的信号放大器。
  2. 音频设备中的前置放大器和驱动级。
  3. 开关电源及脉宽调制 (PWM) 控制电路。
  4. 数据通信中的信号调理模块。
  5. 工业控制中的传感器接口电路。
  6. 无线通信设备中的射频前端组件。

替代型号

MMBT3904, 2SC1815, BC847B

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MMBD352LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)7V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)225mW
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBD352LT1GOSMMBD352LT1GOS-NDMMBD352LT1GOSTR